‍氧化‍‍铟In2O3‍

化学式：In2O3                                             英文名：Indium Oxide

分子量：277.63400                                      密度：7.179g/cm（25℃）

蒸气压（mmHg，25℃）：<0.01                 溶解性：不溶于水，溶于热的无机酸

制备工艺：中和沉淀+干燥+般烧纯度：≥99.99%

应用：大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为钢锡氧化物（ITO）靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。

‍旋转氧化铌靶NbOx‍‍

化学式：Nb2Ox（4.3<x<4.9）                               电阻率（20℃）：≤0.1Ω.cm

成型工艺：喷涂                                                       密度：≥4.3g/cm2（≥95%）

纯度：≥99.95%

应用：主要用于LOW-E镀膜玻璃，薄膜太阳能电池电极膜系，TFT-LCD，半导体电子

最大加工尺寸：长度：4000MM厚度：6-10MM，直型、狗骨型，按客户要求定做